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第610章 国产光刻机的研发进程,至少缩短了十年!

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  自从星源科技与华科协会下属的光电所,联手研发出了‘磁约束放电等离子体光源’(即MDP)技术后,便开始着手攻克光刻机的第二大技术壁垒——光学系统。

毕竟,单是‘造出光’还不行,还得‘用好这束光’,才能完成晶圆曝光,进而实现芯片的生产制造。

可让陈延森顿感无奈的是,国内EUV光源激发方式的主流研发方向,基本以激光产生等离子体、放电等离子体或者激光诱导放电等离子体为主。

而星源科技光学部绝大多数工程师的技能和项目经验,都与研发需求不匹配。

所以在研发配套光学系统时,进度极为缓慢。

要知道,EUV光几乎会被所有物质吸收,因此无法使用传统的玻璃透镜,整个光路必须在真空环境中使用反射式光学系统。

收集镜、照明系统、投影物镜系统、掩膜版和掩膜台都得设计配套的技术方案。

MDP-EUV光源技术确实走出了一条独特的新路,但这种创新并非没有代价。

一切障碍,都要自己去扫平。

陈延森在获悉光学部的研发进度后,立马就绝望了。

他心里清楚,若不给这帮人指条明路,恐怕五年、十年,都没法往前迈出一步。

不得不说,他高估了林南团队的水平。

他没想到,这么简单的配套技术方案,林南等人却在正确的路口边缘,足足蹭了四五十天,却无丝毫进展。

于是,陈延森在开发出脉思(Mass)V1.0后,又马不停蹄地设计出了“多壳层掠入射椭圆收集镜系统”。

这玩意本质上是一套精密的多层膜镜子,可以高效捕获EUV光源,并将其初步聚焦引导至照明系统里。

难点主要有两个:收集效率和抗损伤能力。

前者是因为EUV光线是向四面八方发散的,若想提升收集效率,就得设计复杂的多镜拼接结构,同时保证每片镜子的角度校准精度都要达到微米级。

然而,任何角度上的偏差都会导致光线漏失,从而影响到收集效率。

后者是因为等离子光源被激发后,会产生极高的温度,这就需要超强的抗损伤能力。

收集效率要求多层膜具备“薄、匀、纯、无遮挡”等特性,以最大化反射率和角度适配性。

而抗损伤能力要求多层膜又得“厚、硬、耐侵蚀”,必须增加额外保护层的材料。

听起来很矛盾,但


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